삼성전자는 14일(현지시간) 미국 텍사스주 오스틴 반도체 단지안에 300㎜ 웨이퍼 생산라인을 준공했다. 같은 단지안에 있는 1공장은 200㎜(8인치) 라인이다.
4만 3000평 규모의 2라인은 하반기부터 본격 생산에 들어간다.50나노급 이하 낸드 플래시 등 차세대 고용량 메모리를 양산할 계획이다. 일단 한달에 2만장으로 시작해 점차 생산규모를 늘려갈 방침이다. 내년까지 총 35억달러(약 3조 5000억원)를 투자한다.1라인은 D램 생산에 주력한다.
준공식에 참석한 윤종용 부회장은 “300㎜ 오스틴 라인 건설로 최첨단 메모리 제품의 안정적인 현지 공급원을 확보하게 됐다.”면서 “미국과의 잠재적 무역장벽을 해소하는 데도 크게 기여할 것으로 기대한다.”고 말했다. 준공식에는 황창규 반도체 총괄 사장, 김용근 산업자원부 차관보, 릭 페리 텍사스 주지사 등도 참석했다.
안미현기자 hyun@seoul.co.kr