입력 2024.04.30. 09:16업데이트 2024.04.30. 11:17
삼성전자 평택캠퍼스 전경./삼성전자
삼성전자는 30일 1분기 시설투자액은 11조3000억원으로, 이중 반도체는 9조7000억원, 디스플레이는 1조1000억원 수준이라고 밝혔다. 또 2분기에 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E를 양산할 계획이다.
삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 12단으로 쌓은 HBM3E 개발에 성공했다고 밝혔다. 기존 8단 HBM3E보다 AI 반도체 용량 확장에 유리하다는 것이 삼성전자 설명이다. AI 반도체에 들어가는 D램의 용량을 확장하면 학습 효율이 올라가기 때문이다.
고대역폭메모리(HBM)의 구조도(왼쪽)와 삼성전자가 지난 2월 업계 최초로 개발한 12단 HBM3E(5세대 HBM) D램. /삼성전자
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아 새너제이 시그니아 호텔에서 열린 자사 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024′에 마련된 삼성전자의 부스를 찾아 ’HBM3E’ 12단에 ‘Jensen approved’라는 사인을 남겼다. /한진만 삼성전자 미주총괄(부사장) 링크드인
또한 지난달 말 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)가 삼성전자의 HBM3E 제품에 ‘젠슨 승인’이라는 서명을 남기며, 엔비디아 납품 기대감도 높아지고 있다. 다만 이번 2분기 양산 제품은 AMD가 출시하는 신형 AI 가속기 ‘인스팅트 MI350′에 탑재될 것이 유력하다.
AI 반도체 수요가 높아지는 가운데, 삼성전자는 HBM 생산능력 확대와 함께 공급을 계속 늘려나간다는 계획이다. 고용량 제품 수요가 증가세를 보이고 있어, 업계 최초 개발한 HBM3E 12단 제품 양산 능력을 최대한 끌어올린다는 것이다.
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